MOSFET DE MODO DE AGOTAMIENTO DE CANAL N
MOSFET DE MODO DE AGOTAMIENTO DE CANAL N
- PINGJING
- CHINA
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Especificación | Escribe | Canal | EDS | ENSD | ENSG | yoD | PAGSD | VP/VGS (apagado) | RDS(activado)(Ω)máx. @VGS | Paquete | ||
(EN) | (EN) | (A) | (EN) | Mín.(V) | Máx.(V) | 10V | 0V | |||||
PJM60H12MNSA | norte | Y | 600 | ±20 | 0.03 | 0.5 | -2.7 | -1 | 800 | 700 | HOY-23 | |
PJDM0615ESA | norte | Y | 70 | ±30 | 0.1 | 0.5 | -13 | -veintiún | - | 30 | HOY-23 | |
PJM60H12MNSQ | norte | Y | 600 | ±20 | 0.03 | 0.5 | -2.7 | -1 | 800 | 700 | HOY-89 |