MOSFET DE MODO DE AGOTAMIENTO DE CANAL N

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MOSFET DE MODO DE AGOTAMIENTO DE CANAL N
  • PINGJING
  • CHINA
  • 1 SEMANA
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EspecificaciónEscribeCanalEDSENSDENSGyoDPAGSDVP/VGS (apagado)RDS(activado)(Ω)máx. @VGSPaquete
(EN)(EN)(A)(EN)Mín.(V)Máx.(V)10V0V
PJM60H12MNSAnorteY600±200.030.5-2.7-1800700HOY-23
PJDM0615ESAnorteY70±300.10.5-13-veintiún-30HOY-23
PJM60H12MNSQnorteY600±200.030.5-2.7-1800700HOY-89


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