MOSFET de bajo voltaje de doble canal P HM

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MOSFET de bajo voltaje de doble canal P HM
  • HM
  • CHINA
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MOSfet de bajo voltaje de doble canal P

 modelo

 Canal

 VDS
(Máx.)

 VGS

 VTH
(Escribe)

 IDENTIFICACIÓN
(Máx.) 

 IDM

 RDS (activado)
(Máx.)

Paquete

 Sustitución de los siguientes elementos

HM4953/A

doble p 

-30V

-20V

-1,6 V

-5.1A

-20A

48mΩ

SOP8

CEM4953/APM4953/AP4953
Si4953/AO4801/AO4803

HM4953B

doble p 

-20V

-12V

-0.7V

-5A

-20A

60 mΩ

SOP8

CEM4953/APM4953/AP4953
Si4953/AO4801/AO4803

HM4953C

doble p 

-27v

-20V

-1.1V

-5A

-20A

52mΩ

SOP8

CEM4953/APM4953/AP4953
Si4953/AO4801/AO4803

HM4953D

doble p 

-20V

-12V

-0.7V

-3A

-20A

60 mΩ

SOP8

CEM4953/APM4953/AP4953
Si4953/AO4801/AO4803

HM20PD05

doble p 

-20V

-12V

-0.7V

-5A

-20A

22mΩTSSOP8AO8801/AO8801A/AO8807



HM4963
doble p -20V
-12V
-0.8V
-7a
-40A
21mΩ
SOP8

HM4853
doble p -20V
-12V
-0.7V
-9A
-40A
21mΩ
SOP8

HM4853A
doble p -20V
-12V
-0.6V
-21A
-63A
6,0 mΩ
SOP8

HM4813
doble p -30V
-20V
-1.9V
-7a
-28A
30mΩ
SOP8
AO4813
HM4805
doble p -30V
-20V
-1.5V
-9.1A
-50A
15mΩ
SOP8
AO4805/AO4821
HM4805A
doble p -30V
-12V
-1.5V
-12A
-48A
11,8 mΩ
SOP8
AO4805
HM4805B
doble p -30V
-12V
-1.0V
-12A
-48A
11,5 mΩ
SOP8
AO4805
HM4843
doble p -40V
-20V
-1.5V
-6A
-20A
73mΩ
SOP8
AO4843
HM4885
doble p -40V
-20V
-2.0V
-7.5A
-40A
30mΩ
SOP8
AO4885
HM4885A
doble p -40V
-20V
-2.0V
-13A
-52A
12mΩ
SOP8
AO4885
HM4803
doble p -55V
-20V
-2,6 V
-5A
-25A
64mΩ
SOP8
AO4803/AO4801
HM4821
doble p -60V
-20V
-2.9V
-6.5A
-20A
39mΩ
SOP8
AO4821
HM4821A
doble p -60V
-20V
-2,6 V
-9A
-27A
25mΩ
SOP8

HM4821B
doble p -60V
-20V
-2,6 V
-14A
-42A
20mΩ
SOP8

HM4887B
doble p -100V
-20V
-1.9V
-3.5A
-10.5A
210mΩ
SOP8
AO4887
HM4887
doble p -100V
-20V
-1.9V
-4.5A
-18A
85mΩ
SOP8
AO4887
HM6801
doble p -30V
-20V
-1,6 V
-2.5A
-10 A
72mΩ
HOY-26
AO6801/AO6801A
HM6803

doble p 

-20V  -12V-0,65 V-3A-10 A65mΩHOY-26AO6803
HM6803D
doble p con ESD
-20V
-6V
-0,45 V
-0.8A
-4A
350 mΩ   
SOT23-6
AO6803
BSS84DM
doble p-55V
-20V
-1.5V
-0.3A
-0.9A
2,5 Ω
SOT23-6
BSS84DM
BSS84DW
doble p-55V
-20V
-1.5V
-0.3A
-0.9A
2,5 Ω
HOY-363
BSS84DW
HM2801D
doble p-20V
-12V
-1.0V
-4.5A
-14A
55mΩ
DFN2X2-6L
AON2801/AON2803

HM2803D

doble p

-20V

-12V

-0.7V

-5A

-15A

39mΩ

DFN2X2-6L

AON2803

HM3801DRdoble p-30V-12V-1.0V-6A-30A50 mΩDFN2X2-6LAON2801/AON2803               
HM2819D
doble p-40V
-20V
-1.5V
-5A
-15A
73mΩ
DFN2X2-6L

HM2809D
doble p-60V
-20V
-1.8V
-3A
-12A
150 mΩ
DFN2X2-6L

HM2301
BWKR
doble p EN/ EDS-20V
-8V
-0,45 V
-0.8A
-4A
350 mΩ
HOY-363
AO7801


Observaciones:


1. La corriente Id marcada es la corriente normal máxima del chip MOS. La corriente normal máxima en uso real también está limitada por la corriente máxima del paquete. Por lo tanto, el límite máximo de corriente del paquete se considerará cuando el cliente diseñe el producto. Se sugiere que el cliente considere el parámetro de resistencia interna de MOS de manera más importante al diseñar el producto.

2. Se recomienda conectar una resistencia (10K) y un diodo estabilizador de voltaje (5V-12V) entre los polos de la fuente de la puerta (G/S) del MOS para proteger la sobretensión del polo de la fuente de la puerta (G/S).

3. Se recomienda aumentar el voltaje de apertura del tubo MOS tanto como sea posible, para que el tubo MOS pueda abrirse y conducirse por completo. En este momento, la resistencia interna es mínima y no es fácil calentarse. En general, se recomienda que el voltaje de apertura VGS de MOS de bajo voltaje se establezca por encima de 4,5 V, y el voltaje de apertura de MOS de voltaje medio y alto se establezca por encima de 10 V.

4. Precauciones para el funcionamiento del circuito MOS:


La electricidad estática se puede generar en muchos lugares. Las siguientes precauciones pueden prevenir eficazmente daños a los circuitos MOS causados ​​por descargas estáticas:

• Los operadores deberán estar conectados a tierra a través de una muñequera antiestática.

• El recinto del equipo debe estar conectado a tierra.

• Las herramientas utilizadas durante el montaje deben estar conectadas a tierra.

• Deben ser empacados o transportados con materiales conductores o antiestáticos

Nuestro HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS tiene las siguientes ventajas: tiene una corriente de 3A y una resistencia interna pequeña, que es diferente del producto de gama baja de 1A en el mercado. Se puede utilizar en fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS tiene las siguientes ventajas: tiene una corriente de 3A y una resistencia interna pequeña, que es diferente del producto de gama baja de 1A del mercado. Se puede utilizar en fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS tiene las siguientes ventajas: está empaquetado con corriente de 5.8A/SOT-23 grande, con una resistencia interna pequeña. A diferencia del pequeño SOT-23 en el extremo inferior del mercado, se puede utilizar para fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS tiene las siguientes ventajas: está empaquetado con corriente de 4.2A/SOT-23 grande, con una resistencia interna pequeña. A diferencia del pequeño SOT-23 en el extremo inferior del mercado, se puede utilizar para fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS tiene las siguientes ventajas: 1. El voltaje de resistencia puede alcanzar los 60 V, suficiente para una corriente de 3 A, y está empaquetado con SOT-23 grande. 2. Puede usarse para iluminación LED y otros productos con resistencia de alto voltaje.


Nuestro HM4953 tiene las ventajas de una gran corriente y una pequeña resistencia interna, que se puede utilizar en el mercado de pantallas a todo color.


Nuestro HM4430 tiene las ventajas de una gran corriente, una pequeña resistencia interna y una corriente de hasta 18A. Es uno de los productos con mayor corriente SOP8/NMOS del mercado.


La ventaja de nuestro HM4440 es que la tensión soportada puede alcanzar los 60 V, que es uno de los productos de tensión soportada SOP8/NMOS más grandes del mercado.


Ventajas de HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: Tiene una corriente de 7A y protección estática ESD. En comparación con el 8205 del mercado, la corriente es mayor y la resistencia interna es menor. Puede reemplazar directamente AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Se utiliza principalmente en tableros de protección de batería de litio de gama alta/batería de teléfono móvil/tablero de protección de varias secciones/fuente de alimentación móvil/cargador/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Aplicación del producto:


1. Reproductor de MP3/MP4/MP5/PMP

2.MEDIO/UMPC

3. Auriculares GPS/Bluetooth

4. PDVD/DVD a bordo/audio para automóvil

5. Televisor LCD/pantalla LCD

6. Fuente de alimentación móvil/cigarrillo electrónico

7. Batería de teléfono móvil, placa de protección de batería de litio

8. Iluminación LED/fuente de alimentación LED

9. Pantalla LED

10. Cargador inteligente

11. Pequeños electrodomésticos, panel de control de electrodomésticos

12. Placa base de computadora y tarjeta de video


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