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MOSFET de canal SJ (superunión) de baja tensión HM



N º de Modelo.

Canal

VDS
(Máx.)

VGS 

VTH
(Escribe)

IDENTIFICACIÓN
(Máx.)

IDM

RDS (activado)
(Máx.)

Paquete

 Sustitución de los siguientes elementos

HM530

canal n

100V

20V

3,2 V

17A

60A

70mΩ

TO-220

IRF530

HM3710/K/D

canal n

100V

20V

3,0 V

57A

190A

12mΩ

TO-220
TO-252
TO-263

IRF3710/IRF540/SSF1010
MXP1018

HM73N10

canal n

100V

25V

2,8 V

73A

290A

10 mΩ

TO-220

IRFB4610/IRFB4710/IRFB4510
IRF8010/AOT296/AOT298/
AOT412

HM2807/D

canal n

100V

20V

3,0 V

100A

380A

9,9 mΩ

TO-220
TO-263

IRF2807/SSF7509/MXP1010

HM4030/D

canal n

100V

25V

3,0 V

118A

472A

6,8 mΩ

TO-220
TO-263

IRLB4030/IRFB4310/
AOT1100/AOT290/AOT410

HM4310

canal n

100V

25V

3,0 V

140A

560A

5,3 mΩ

TO-220

IRF4310/AOT1100/AOT290/
AOT410

HM4110

canal n

100V

25V

2,8 V

170A

680A

4,5 mΩ

TO-220

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HM4110T

canal n

100V

20V

3,0 V

210A

850A

3,1 mΩ

TO-247

IRFB4110/IRFB4310/AOT1100/
AOT290/AOT410

HM4468T

canal n

100V

20V

3,0 V

290A

1120A

2,7 mΩ

TO-247

IRFB4468

HM10N10K/I

canal n

100V

20V

1,8 V

9.6A

58A

105mΩ

TO-252
TO-251

STP10N10/2SK2504/FDS3672/
IRFR3410

HM10N10KA

canal n

100V

20V

1,5 V

10 A

60A

90mΩ

TO-252

STP10N10/2SK2504/FDS3672/
IRFR3410

HM10N10Q

canal n

100V

20V

1,6 V

10 A

30A

75mΩ

DFN3X3-8L

AON7296/AON7452

HM15N10D

canal n

100V

20V

1,9 V

15A

45A

27mΩ

DFN5X6-8L

AON6484/AON648

HM15N10K

canal n

100V

20V

1,6 V

15A

60A

75mΩ

TO-252

FQD15N10/IRLU3410/STP15N10/
UTC15N10/SSP15N10/SPB15N10/
SSP15N10/SPB15N10

HM17N10K/I

canal n

100V

20V

1,8 V

17A

65A

56mΩ

TO-252
TO-251

FQD17N10/IRLU3410/STP16N10/
UTC19N10/SSP19N10/SPB19N10/
SSP16N10/SPB16N10

HM30N10/K

canal n

100V

20V

1,9 V

30A

90A

27mΩ

TO-220
TO-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP30N10/MTP30N10/MTB30N10/
SUD30N10/SUP30N10

HM30N10D

canal n

100V

20V

3,0 V

30A

90A

14mΩ

DFN5X6-8L

AON6482/AON6484/AON6486/
AON6452/IRFH5053/IRLH5030/
IRFH5010/IRFH5110/IRFH5210/
IRFH7110/SiR698DP/Si7454DDP/
Si7456DDP/SM1A24NSKP

HM6224D
canal n
100V
20V
1,4 V
34A
100A
8,8 mΩ
DFN5X6-8L
AON6482/AON6484/AON6486/
AON6452

HM40N10/K

canal n

100V

20V

3,0 V

40A

160A

14mΩ

TO-220
TO-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP40N10/MTP40N10/MTB40N10/
SUD40N10/SUP40N10

HM40N10A/KA

canal n

100V

20V

1,1 V

40A

160A

14mΩ

TO-220
TO-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP40N10/MTP40N10/MTB40N10/
SUD40N10/SUP40N10

HM50N10K

canal n

100V

25V

1,6 V

50A

150A

19mΩ

TO-252

AOT414/AOT416/IRF1310/
RFP50N10/MTP50N10/MTB50N10/
SUD50N10/SUP50N10

HM10N15D

canal n

150V

20V

1,6 V

10 A

30A

85mΩ

DFN5X6-8L

AON6454A

HM12N15I

canal n

150V

20V

2,0 V

12A

50A

130 mΩ

TO-251

IRFU18N15D/SUU09N10/AOI478
AM12N15/AP12N15GJ/UTC12N15

HM20N15/K

canal n

150V

20V

3,4 V

20A

40A

85mΩ

TO-220
TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/IRFR4615/
IRFR18N15D/AM20N15/
AP20N15GH/UTC20N15/
IRFR24N15D

HM20N15A/KA

canal n

150V

20V

1,6 V

20A

40A

85mΩ

TO-220
TO-252

AOD254/AOD256/AOD4454/
SUD15N15/SUD25N15/IRFR4615/
IRFR18N15D/AM20N15/
AP20N15GH/UTC20N15/
IRFR24N15D

HM20N15D

canal n

150V

20V

1,05 V

20A

60A

35mΩ

DFN5X6-8L

AON6454A

HM40N15K

canal n

150V

20V

3,2 V

40A

164A

35mΩ

TO-252

FDD2572/SUM40N15/SGL40N15/
AOD254/AOD256/AOD4454/
IRFR4615/IRFR24N15D

HM40N15KA

canal n

150V

12V

1,05 V

40A

164A

35mΩ

TO-252

FDD2572/SUM40N15/SGL40N15/
AOD254/AOD256/AOD4454/
IRFR4615/IRFR24N15D

HM50N15/D

canal n

150V

20V

3,2 V

50A

210A

19,5 mΩ

TO-220
TO-263

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15

HM70N15

canal n

150V

20V

3,1 V

70A

280A

12mΩ

TO-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM80N15/F

canal n

150V

20V

3,1 V

80A

320A

11mΩ

A-220/
TO-220F

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM100N15

canal n

140V

25V

4V

100A

400A

8,8 mΩ

TO-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM100N15A

canal n

150V

20V

3,7 V

100A

390A

9,5 mΩ

TO-220

IRFB52N15D/IRFB41N15D/
IRF3415/IRFB4615/IRFB5615/
STP50N15/IXTH50N15/
IRFB4321/G/SUP85N15

HM26N18K

canal n

185V

20V

3V

26A

100A

50 mΩ

TO-252


HM5N20I/K

canal n

200V

20V

1,7 V

5A

20A

520 mΩ

TO-251
TO-252

IRF630

HM8N20/K

canal n

200V

20V

3,2 V

8A

20A

260mΩ

TO-220
TO-252

IRF630

HM8N20A/KA/I

canal n

200V

20V

1,7 V

8A

20A

260mΩ

TO-220
TO-252
TO-251

IRF630

HM9N20/K
canal n
200V
20V
3,0 V
9a
27A
290 mΩ
TO-220
TO-252
IRF630

HM12N20D

canal n

200V

20V

1,5 V

12A

36A

62mΩ

DFN5X6-8L

AON6458

HM24N20/K

canal n

200V

20V

3,2 V

24A

100A

63mΩ

TO-220
TO-252

AOD2210/IRFR4620/IRFR15N20D

HM24N20KA

canal n

200V

20V

1,5 V

24A

100A

62mΩ

TO-252

AOD2210/IRFR4620/IRFR15N20D

HM32N20

canal n

200V

20V

3,2 V

32A

128A

50 mΩ

TO-220

IRFP4620/IRFP32N20D
HM36N20
canal n
200V
20V
3,8 V
36A
150A
57mΩ
TO-220
STP40N20/IXFH40N20/SSH40N20

HM40N20/D

canal n

200V

20V

3,2 V

40A

160A

36,5 mΩ

TO-220
TO-263

IRFB38N20D/IRFB42N20D/
STP40N20/FQA40N20/
IXFH40N20/SSH40N20

HM50N20/D

canal n

200V

20V

3,0 V

50A

200A

30mΩ

TO-220
TO-263

IRFB50N20D/STP50N20
FQA50N20/IXFH50N20/SSH50N20

HM60N20/D

canal n

200V

25V

3,2 V

60A

240A

24mΩ

TO-220
TO-263

IRFB60N20D/STP60N20
FQA60N20/IXFH60N20/SSH60N20

HM70N20T

canal n

200V

30V

3,0 V

70A

280A

29mΩ

TO-247


HM75N20

canal n

200V

20V

3.5V

75A

300A

18mΩ

TO-220

STP75N20

HM90N20canal n
200V
20V
3,0 V
90A
360A
22mΩ
TO-220
STP100N20/FQA100N20/
IXFH100N20/SSH100N20

HM100N20T

canal n

200V

20V

3,0 V

100A

400A

13,5 mΩ

TO-247

IRFB100N20D/STP100N20
FQA100N20/IXFH100N20/
SSH100N20





Observaciones:


1. La corriente Id marcada es la corriente normal máxima del chip MOS. La corriente normal máxima en uso real también está limitada por la corriente máxima del paquete. Por lo tanto, el límite máximo de corriente del paquete se considerará cuando el cliente diseñe el producto. Se sugiere que el cliente considere el parámetro de resistencia interna de MOS de manera más importante al diseñar el producto.

2. Se recomienda conectar una resistencia (10K) y un diodo estabilizador de voltaje (5V-12V) entre los polos de la fuente de la puerta (G/S) del MOS para proteger la sobretensión del polo de la fuente de la puerta (G/S).

3. Se recomienda aumentar el voltaje de apertura del tubo MOS tanto como sea posible, para que el tubo MOS pueda abrirse y conducirse por completo. En este momento, la resistencia interna es mínima y no es fácil calentarse. En general, se recomienda que el voltaje de apertura VGS de MOS de bajo voltaje se establezca por encima de 4,5 V, y el voltaje de apertura de MOS de voltaje medio y alto se establezca por encima de 10 V.

4. Precauciones para el funcionamiento del circuito MOS:


La electricidad estática se puede generar en muchos lugares. Las siguientes precauciones pueden prevenir eficazmente daños a los circuitos MOS causados ​​por descargas estáticas:

• Los operadores deberán estar conectados a tierra a través de una muñequera antiestática.

• El gabinete del equipo debe estar conectado a tierra.

• Las herramientas utilizadas durante el montaje deben estar conectadas a tierra.

• Deben ser empacados o transportados con materiales conductores o antiestáticos

Nuestro HM2301/SOT-23/3A/20V/PMOS tiene las siguientes ventajas: tiene una corriente de 3A y una resistencia interna pequeña, que es diferente del producto de gama baja de 1A en el mercado. Se puede utilizar en fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM2302/SOT-23/3A/20V/NMOS tiene las siguientes ventajas: tiene una corriente de 3A y una resistencia interna pequeña, que es diferente del producto de gama baja de 1A del mercado. Se puede utilizar en fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS tiene las siguientes ventajas: está empaquetado con corriente de 5.8A/SOT-23 grande, con pequeña resistencia interna. A diferencia del pequeño SOT-23 en el extremo inferior del mercado, se puede utilizar para fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS tiene las siguientes ventajas: está empaquetado con corriente de 4.2A/SOT-23 grande, con una resistencia interna pequeña. A diferencia del pequeño SOT-23 en el extremo inferior del mercado, se puede utilizar para fuente de alimentación móvil/cargador/placa de protección de múltiples secciones/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Nuestro HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS tiene las siguientes ventajas: 1. El voltaje de resistencia puede alcanzar los 60 V, suficiente para una corriente de 3 A, y está empaquetado con SOT-23 grande. 2. Puede usarse para iluminación LED y otros productos con resistencia de alto voltaje.


Nuestro HM4953 tiene las ventajas de una gran corriente y una pequeña resistencia interna, que se puede utilizar en el mercado de pantallas a todo color.


Nuestro HM4430 tiene las ventajas de una gran corriente, una pequeña resistencia interna y una corriente de hasta 18A. Es uno de los productos con mayor corriente SOP8/NMOS del mercado.


La ventaja de nuestro HM4440 es que la tensión soportada puede alcanzar los 60 V, que es uno de los productos de tensión soportada SOP8/NMOS más grandes del mercado.


Ventajas de HM8810E/SOT-26&TSSOP8/7A/20V/dual N MOS: Tiene una corriente de 7A y protección estática ESD. En comparación con el 8205 del mercado, la corriente es mayor y la resistencia interna es menor. Puede reemplazar directamente AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E. Se utiliza principalmente en tableros de protección de batería de litio de gama alta/batería de teléfono móvil/tablero de protección de varias secciones/fuente de alimentación móvil/cargador/electrodomésticos/aeromodelismo/juguetes de control remoto y otras aplicaciones de alta corriente/baja resistencia interna.


Aplicación del producto:


1. Reproductor de MP3/MP4/MP5/PMP

2.MEDIO/UMPC

3. Auriculares GPS/Bluetooth

4. PDVD/DVD a bordo/audio para automóvil

5. Televisor LCD/pantalla LCD

6. Fuente de alimentación móvil/cigarrillo electrónico

7. Batería de teléfono móvil, placa de protección de batería de litio

8. Iluminación LED/fuente de alimentación LED

9. Pantalla LED

10. Cargador inteligente

11. Pequeños electrodomésticos, panel de control de electrodomésticos

12. Placa base de computadora y tarjeta de video



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