HM Sic GaN MOSFET MOS
HM Sic GaN MOSFET MOS
- HM
- CHINA
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Sic (carburo de silicio) MOS
| Canal N Sic MOS | VDS (Máx.) | VGS | VTH | IDENTIFICACIÓN (Máx.) | IDM (Máx.) | RDS (sobre) (Máx.) | ciss | ciss | ciss | tj | Rθjc | rja | Paquete |
| HMM18N120T | 1200V | -10V/ +25V | 2,4 V | 18A | 40A | 160 megaohmios | 890pF | 54pF | 8,5pF | -55- 150°C | 0,9 ℃/W | 40 ℃/W | TO-247-3L |
| Canal N MOS de GaN | VDS (Máx.) | VTH | IDENTIFICACIÓN (Máx.) | RDS (sobre) (Máx.) | qg | qrr | ciss | costo | Crss | tj | Rθjc | rja | Paquete |
| HMN8N65D | 650V | 1,65 V | 8A | 220 mohamed | 18nC | 50nC | 1150pF | 25pF | 1pF | -55- 150°C | 4,5 ℃/W | 50 ℃/W | DFN8*8-2L |
| HMN20N65 | 650V | 1,65 V | 20A | 120 mohamed | 20nC | 46 d.C. | 1250pF | 48pF | 2pF | -55- 150°C | 1,28 ℃/W | 50 ℃/W | TO-220 |
| HMN20N65D | 650V | 1,65 V | 20A | 125 mohamed | 20nC | 56nC | 1050pF | 56pF | 2pF | -55- 150°C | 1,8 ℃/W | 50 ℃/W | DFN8*8-2L |
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